ON達林頓晶體管

隨著封裝變得越來越小，為電源應用實現(xiàn)高效的熱性能要求設計人員采用新的方法來改善器件的熱流。因此，本文的目的是幫助用戶最大化SuperSOTTM-3（SOT-23）的功率處理能力。 ）飛兆半導體提供的PowerMOSFET。這項工作使用戶可以充分利用飛兆半導體最先進的功率MOSFET的卓越性能特性，該器件具有極低的導通電阻和改進的結 - 焦點（RθJC）熱阻。最后，用戶可以通過使用下面提出的散熱解決方案來提高元件性能和更高的電路板封裝密度。在自然冷卻中，提高功率性能的方法應該集中在銅安裝焊盤的最佳設計上。設計應考慮銅的尺寸及其在一個或兩個板表面上的位置。銅安裝墊非常重要，因為功率MOSFET的漏極引線直接安裝在焊盤上。墊起到散熱器的作用，可降低熱阻，從而提高動力性能。

圖1. SuperSOTTM-3功率MOSFET具有與SOT-23相同的封裝尺寸，但最大化的銅引線框架將結至外殼的熱阻RθJC降低至75oC / W。

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