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特點

  • 100μm的超薄型(也能根據(jù)要求薄至80μm)

  • 高Q值

  • 電壓穩(wěn)定性

  • 高ESD性能(ESD增強系列)>1kV(47pF)、>2kV(100pF)、>8kV(330pF)

  • 低漏電流(100pA)

  • 低ESL和ESR

  • SRF>1.2GHz(100pF)

用途

  • 涵蓋醫(yī)療、電信、計算機產(chǎn)業(yè)等要求嚴格的所有用途

  • 去藕/濾波/電荷泵浦(心臟起搏器、手機)

  • 標準ID1天線

  • 雙重接口或完全非接觸

  • 智能卡

  • 4、5、6級天線用RFID膠貼

  • 電信用SIM

  • 無線能量收集

  • 個人醫(yī)療、健康、體育

  • 智能傳感器

  • 產(chǎn)業(yè)用標簽

  • 汽車TPMS/車用電子防盜系統(tǒng)

LPSC系列規(guī)格

參數(shù)
靜電容量范圍47 pF to 3.3μF(*)
靜電容量容差±15%(*)
工作溫度范圍-55°C to 150°C
保管溫度范圍-70°C to 165°C(*2)
溫度系數(shù)+60ppm/K
擊穿電壓 (BV)11 VDC or 30 VDC
相對于RVDC的靜電容量變化0.1%/V (from 0 to RVDC)
等效串聯(lián)電感 (ESL)最大100pH (*)
等效串聯(lián)電阻 (ESR)最大200mΩ (*)
絕緣電阻100nF的商品
100GΩ(25℃,施加3V,120秒后)
老化微小,<0.001%/1000h
可靠性FIT<0.017個/10億小時
電容器厚度100 μm

(*) 也能根據(jù)客戶要求提供其他的規(guī)格值 (*2) 包裝材料除外

系列一覽

LPSC.xxx

可薄至100μm的ESD增強硅電容器
from -55℃ to 150℃

品名靜電容量BV外殼尺寸厚度
935121714310-xxN100pF30V0402100μm
935121714333-xxN330pF30V0402100μm


LPSC.xxx

可薄至100μm的硅電容器
from -55℃ to 150℃

品名靜電容量BV外殼尺寸厚度
935121423510-xxN10nF11V0201100μm
935121424247-xxN47pF11V0402100μm
935121424310-xxN100pF11V0402100μm
935121424347-xxN470pF11V0402100μm
935121424410-xxN1nF11V0402100μm
935121424510-xxN10nF11V0402100μm
935121424522-xxN22nF11V0402100μm
935121424533-xxN33nF11V0402100μm
935121424547-xxN47nF11V0402100μm
935121424610-xxN100nF11V0402100μm
935121425610-xxN100nF11V0603100μm
935121426610-xxN100nF11V0805100μm
935121427610-xxN100nF11V1206100μm
935121427710-xxN1μF11V1206100μm
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